majoritätsladungsträger
41Lochmobilität — Die Beweglichkeit bzw. Mobilität μ als physikalischer Begriff ist definiert über die konstante Geschwindigkeit , welche ein Körper (asymptotisch) erreicht, wenn an ihn eine konstante Kraft angreift. In der Elektrodynamik wird die Beweglichkeit in …
42Löcherbeweglichkeit — Die Beweglichkeit bzw. Mobilität μ als physikalischer Begriff ist definiert über die konstante Geschwindigkeit , welche ein Körper (asymptotisch) erreicht, wenn an ihn eine konstante Kraft angreift. In der Elektrodynamik wird die Beweglichkeit in …
43N-Dotierung — Eine Dotierung oder das Dotieren (v. lat. dotare „ausstatten“) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder ins Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises. Die dabei eingebrachten Konzentration sind… …
44N-dotiert — Eine Dotierung oder das Dotieren (v. lat. dotare „ausstatten“) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder ins Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises. Die dabei eingebrachten Konzentration sind… …
45NPN-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… …
46OFET — Der Organische Feldeffekttransistor (OFET) ist ein Feldeffekttransistor (FET), der mindestens als Halbleiter ein organisches Material nutzt. Inhaltsverzeichnis 1 Geschichte 2 Aufbau 3 Physikalische Beschreibung 4 Weblinks …
47P-Dotierung — Eine Dotierung oder das Dotieren (v. lat. dotare „ausstatten“) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder ins Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises. Die dabei eingebrachten Konzentration sind… …
48P-dotiert — Eine Dotierung oder das Dotieren (v. lat. dotare „ausstatten“) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder ins Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises. Die dabei eingebrachten Konzentration sind… …
49PNP-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… …
50Schottky-Diode — Handelsübliche Schottky Dioden in unterschiedlichen Gehäusen Eine Schottky Diode, auch Hot Carrier Diode oder Schottky Barriere genannt, ist in der Elektronik eine spezielle Diode, welche keinen p n Übergang (Halbleiter Halbleiter Übergang)… …
