lightly doped drain
1lightly-doped drain — silpnai legiruota santaka statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lightly doped drain vok. schwachdotiertes Draingebiet, n rus. слаболегированный сток, m pranc. drain à faible dopage, m …
2drain à faible dopage — silpnai legiruota santaka statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lightly doped drain vok. schwachdotiertes Draingebiet, n rus. слаболегированный сток, m pranc. drain à faible dopage, m …
3LDD — Lightly Doped Drain (Academic & Science » Electronics) * Little Deluded Dupes (Community » Law) * List Dynamic Dependency (Computing » General) * Life Directions Detroit (Community » Non Profit Organizations) …
4Integrierter Schaltkreis — Integrierter Schaltkreis. Das Chip Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen… …
5LDD — is a three letter abbreviation with multiple meanings, including: * Legion of Dynamic Discord * ldd List Dynamic Dependencies , Unix program * Lightly Doped Drain, a sub structure in a MOSFET that is intended to permit operation with higher drain …
6schwachdotiertes Draingebiet — silpnai legiruota santaka statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lightly doped drain vok. schwachdotiertes Draingebiet, n rus. слаболегированный сток, m pranc. drain à faible dopage, m …
7silpnai legiruota santaka — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lightly doped drain vok. schwachdotiertes Draingebiet, n rus. слаболегированный сток, m pranc. drain à faible dopage, m …
8слаболегированный сток — silpnai legiruota santaka statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. lightly doped drain vok. schwachdotiertes Draingebiet, n rus. слаболегированный сток, m pranc. drain à faible dopage, m …
9LDD — abbr. Lightly Doped Drain (IC, MOSFET) …
10Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed …
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