ion-implantation profile
1ion-implantation profile — implantuotųjų jonų profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implantation profile vok. Implantationsprofil, n rus. профиль распределения имплантированных ионов, m pranc. profil d implantation ionique, m …
2Ion implantation — is a materials engineering process by which ions of a material can be implanted into another solid, thereby changing the physical properties of the solid. Ion implantation is used in semiconductor device fabrication and in metal finishing, as… …
3Ion beam — An ion beam is a type of particle beam consisting of ions. Ion beams have many uses in electronics manufacturing (principally ion implantation) and other industries. Today s ion beam sources are typically derived from the mercury vapor thrusters… …
4profil d'implantation ionique — implantuotųjų jonų profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implantation profile vok. Implantationsprofil, n rus. профиль распределения имплантированных ионов, m pranc. profil d implantation ionique, m …
5Implantationsprofil — implantuotųjų jonų profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implantation profile vok. Implantationsprofil, n rus. профиль распределения имплантированных ионов, m pranc. profil d implantation ionique, m …
6implantuotųjų jonų profilis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implantation profile vok. Implantationsprofil, n rus. профиль распределения имплантированных ионов, m pranc. profil d implantation ionique, m …
7профиль распределения имплантированных ионов — implantuotųjų jonų profilis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implantation profile vok. Implantationsprofil, n rus. профиль распределения имплантированных ионов, m pranc. profil d implantation ionique, m …
8SIMOX-Technik — Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial (Dotierung). Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials… …
9Ionenimplantation — Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial (Dotierung). Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials… …
10Monolayer doping — (MLD) is a well controlled, wafer scale surface doping technique first developed at the University of California, Berkeley, in 2007.[1] This work is aimed for attaining controlled doping of semiconductor materials with atomic accuracy, especially …
