ion implantation
91circuit MOS à implantation ionique — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… …
92double implantation ionique — dvikartinis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double ion implanted process vok. Doppelimplantation, f rus. двухкратная ионная имплантация, f pranc. double implantation ionique, f …
93dispositif MOS à implantation ionique — jonais implantuotas MOP įtaisas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS device vok. Ionenimplantations MOS Gerät, n rus. ионно имплантированный МОП прибор, m pranc. dispositif MOS à implantation ionique, m …
94masquage pour implantation ionique — jonų implantavimo maskavimo operacija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implant masking step vok. Maskierungsschritt bei der Ionenimplantation, m rus. операция маскирования для ионной имплантации, f pranc. masquage pour… …
95transistor à base d'implantation ionique — tranzistorius su jonais implantuota baze statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted base transistor vok. Transistor mit ionenimplantierter Basis, m rus. транзистор с ионно имплантированной базой, m pranc. transistor à… …
96circuit intégré à implantation ionique — integrinis jonais implantuotas grandynas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted integrated circuit vok. nach dem Ionenimplantationsverfahren hergestellte integrierte Schaltung, f rus. ионно имплантированная… …
97transistor à effet de champ à implantation ionique — jonais implantuotas lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted field effect transistor vok. ionenimplantierter Feldeffekt transistor, m rus. ионно имплантированный полевой транзистор, m pranc.… …
98double ion-implanted process — dvikartinis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double ion implanted process vok. Doppelimplantation, f rus. двухкратная ионная имплантация, f pranc. double implantation ionique, f …
99phosphorous ion implant — fosforo jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. phosphorous ion implant vok. Phosphorionenimplantation, f rus. имплантация ионов фосфора, f pranc. implantation d ions de phosphore, f …
100well ion implant — kišenės jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. well ion implant vok. Wannenimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования кармана, f; ионное легирование кармана, n pranc. implantation de la cavité, f …
