ion implantation
81faible implantation d'ions — silpnasis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. light ion implantation vok. schwache Ionenimplantation, f rus. слабая ионная имплантация, f pranc. faible implantation d ions, f …
82Li-Ion — Accumulateur lithium Accumulateur lithium Caractéristiques Énergie/Poids 100 200[1] Wh/kg Énergie/Volume 200 400 …
83Li-ion — Accumulateur lithium Accumulateur lithium Caractéristiques Énergie/Poids 100 200[1] Wh/kg Énergie/Volume 200 400 …
84Lithium-ion — Accumulateur lithium Accumulateur lithium Caractéristiques Énergie/Poids 100 200[1] Wh/kg Énergie/Volume 200 400 …
85Lithium ion — Accumulateur lithium Accumulateur lithium Caractéristiques Énergie/Poids 100 200[1] Wh/kg Énergie/Volume 200 400 …
86Static secondary ion mass spectrometry — Static secondary ion mass spectrometry, or static SIMS is a technique for chemical analysis including elemental composition and chemical structure of the uppermost atomic or molecular layer of a solid which may be a metal, semiconductor or… …
87Focused ion beam — Focused ion beam, also known as FIB, is a technique used particularly in the semiconductor and materials science fields for site specific analysis, deposition, and ablation of materials. The FIB is a scientific instrument that resembles a… …
88Focused-Ion-Beam-Mikroskop — Foto eines FIB Arbeitsplatzes Ein Focused Ion Beam (Abk.: FIB; englisch für „fokussierter Ionenstrahl“) ist ein Gerät zur Oberflächenanalyse und bearbeitung. Steht der Materialabtrag im Vordergrund, heißt das Verfahren auch Ionendünnung. Wenn die …
89Focused Ion Beam — Foto eines FIB Arbeitsplatzes Ein Focused Ion Beam (Abk.: FIB; englisch für „fokussierter Ionenstrahl“, deutsch auch Ionenfeinstrahlanlage) ist ein Gerät zur Oberflächenanalyse und bearbeitung. Steht der Materialabtrag im Vordergrund, heißt das… …
90Deep reactive-ion etching — (DRIE) is a highly anisotropic etch process used to create deep penetration, steep sided holes and trenches in wafers, with aspect ratios of 20:1 or more. It was developed for microelectromechanical systems (MEMS), which require these features,… …
