ion implantation
51implantation ionique à travers de couche d'oxyde protectrice — jonų implantavimas pro apsauginį oksido sluoksnį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. field oxide ion implantation vok. Feldoxidionenimplantation, f rus. ионная имплантация через защитный слой оксида, f pranc. implantation… …
52implantation d'ions à haute dose — didelės dozės jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high dosage ion implantation vok. Hochdosisimplantation, f rus. высокодозированная ионная имплантация, f pranc. implantation d ions à haute dose, f …
53implantation d'ions à grande énergie — didelės energijos jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high energy ion implantation vok. energiereiche Ionenimplantierung, f; Implantierung von Ionen hoher Energie, f rus. имплантация ионов высокой энергии, f… …
54implantation ionique au travers de masque — kaukinis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. masked ion implantation vok. Ionenimplantation durch eine Maske, f; maskierte Ionenimplantation, f rus. ионная имплантация через маску, f pranc. implantation… …
55implantation ionique pour bipolaires — dvipolių darinių implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar ion implantation vok. Ionenimplantation in bipolaren Geräten, f rus. ионная имплантация для биполярных приборов, f pranc. implantation ionique pour… …
56implantation d'ions dans semi-conducteur amorphe — jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc.… …
57implantation ionique sans masque — bekaukis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. maskless ion implantation vok. Ionenimplantation ohne Maske, f; unmaskierte Ionenimplantation, f rus. безмасочная ионная имплантация, f pranc. implantation ionique… …
58implantation ionique pour formation des structures MOS — jonpluoštis MOP darinių legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS ion implantation vok. Ionenimplantation zur Erzeugung von MOS Strukturen, f rus. ионное легирование для формирования МОП структур, n pranc. implantation …
59implantation ionique pour zone de déplétion — skurdinamasis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion ion implantation vok. Ionenimplantation zur Erzeugung von Verarmungsgebieten, f rus. ионная имплантация для формирования обеднённой области, f pranc …
60implantation ionique à basse dose — mažos dozės jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low dosage ion implantation vok. Niederdosisionenimplantation, f rus. слабодозированная ионная имплантация, f pranc. implantation ionique à basse dose, f …