insulated gate field-effect transistor
1insulated-gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate FET; insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m; Isolierschicht Feldeffekttransistor, m rus …
2silicon insulated-gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… …
3resistive insulated-gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su varžine izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. resistive insulated gate FET; resistive insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Widerstandsgate, m rus.… …
4complementary insulated-gate field-effect transistor — jungtinis lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary insulated gate field effect transistor vok. komplementärer Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m rus. комплементарный… …
5Field-effect transistor — FET redirects here. For other uses, see FET (disambiguation). High power N channel field effect transistor The field effect transistor (FET) is a transistor that relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a… …
6insulated-gate FET — lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate FET; insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m; Isolierschicht Feldeffekttransistor, m rus …
7silicon insulated-gate FET — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… …
8resistive insulated-gate FET — lauko tranzistorius su varžine izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. resistive insulated gate FET; resistive insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Widerstandsgate, m rus.… …
9Junction Field Effect Transistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… …
10Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… …
