heterojunction
51Band offset — describes the relative alignment of the energy bands at a semiconductor heterojunction.ReferencesFranciosi A.; Van de Walle C.G: Heterojunction band offset engineering , Surface Science Reports, Volume 25, Number 1, October 1996 , pp. 5… …
52CoNTub — CoNTub …
53Millstone River Photonickers — is an informal affinity association of those individuals associated with the development of semiconductor diode laser technology at RCA Laboratories and its successor organization Sarnoff Corporation, as well as companies and government or… …
54Milton Feng — co created the first transistor laser, working with Nick Holonyak in 2004. The paper discussing their work was voted in 2006 as one of the five most important papers published by the American Institute of Physics since its founding 75 years ago.… …
55Carbon nanotubes in photovoltaics — Organic photovoltaic devices (OPVs) are fabricated from thin films of organic semiconductors, such as polymers and small molecule compounds, and are typically on the order of 100 nm thick. Because polymer based OPVs can be made using a coating… …
56Cadmium telluride solar cell — Articleissues advert = October 2008 COI = October 2008 wikify = October 2008A cadmium telluride solar cell is a solar cell based on a cadmium telluride (CdTe) thin film, a semiconductor layer to absorb and convert sunlight into electricity… …
57AlGaAs — Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und… …
58Aluminium-Gallium-Arsenid — Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und… …
59Galliumaluminiumarsenid — Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und… …
60Heteroübergang — Bandenergien zweier Materialien unterschiedlicher Dotierung mit unterschiedlichem Bandabstand zwischen Valenzbandenergie Ev und Leitungsbandenergie Ec, ohne Kontakt …
