electron mobility

  • 61Feldeffekttransistoren — oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart Elektronen oder Löcher bzw.… …

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  • 62Galliumaluminiumarsenid — Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und… …

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  • 63HJBT — Der Heterojunction Bipolartransistor (HBT bzw. HJBT) ist ein Bipolartransistor (BJT), dessen Emittermaterial anders als das der Basis gewählt ist. Dabei entsteht die namensgebende Heterostruktur. Er entspricht damit der bipolaren Ausführung eines …

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  • 64Halbleiter-Heterostrukturen — Bandenergien zweier Materialien unterschiedlicher Dotierung mit unterschiedlichem Bandabstand zwischen Valenzbandenergie Ev und Leitungsbandenergie Ec, ohne Kontakt …

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  • 65Halbleiterheterostrukturen — Bandenergien zweier Materialien unterschiedlicher Dotierung mit unterschiedlichem Bandabstand zwischen Valenzbandenergie Ev und Leitungsbandenergie Ec, ohne Kontakt …

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  • 66Heterojunction — Bandenergien zweier Materialien unterschiedlicher Dotierung mit unterschiedlichem Bandabstand zwischen Valenzbandenergie Ev und Leitungsbandenergie Ec, ohne Kontakt …

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  • 67Heterojunction Bipolartransistor — Der Heterojunction Bipolartransistor (HBT bzw. HJBT) ist ein Bipolartransistor (BJT), dessen Emittermaterial anders als das der Basis gewählt ist. Dabei entsteht die namensgebende Heterostruktur. Er entspricht damit der bipolaren Ausführung eines …

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  • 68Heterostruktur — Bandenergien zweier Materialien unterschiedlicher Dotierung mit unterschiedlichem Bandabstand zwischen Valenzbandenergie Ev und Leitungsbandenergie Ec, ohne Kontakt …

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  • 69MESFET — n Kanal Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET) Der Metall Halbleiter Feldeffekttransistor (engl. metal semiconductor field effect transistor, MeSFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET). Im Aufbau ähnelt er einem… …

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  • 70MeSFET — n Kanal Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET) Der Metall Halbleiter Feldeffekttransistor (engl. metal semiconductor field effect transistor, MeSFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET). Im Aufbau ähnelt er einem… …

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