electron mobility
51Nanoelectronics — Part of a series of articles on Nanoelectronics Single molecule electronics …
52Optical modulators using semiconductor nano-structures — Contents 1 Optical modulators using semiconductor nano structures 1.1 Electro optic modulator of nano structures 1.2 Acousto optic modulator of nano structures …
53Semiconductor device — Semiconductor devices are electronic components that exploit the electronic properties of semiconductor materials, principally silicon, germanium, and gallium arsenide. Semiconductor devices have replaced thermionic devices (vacuum tubes) in most …
54Lead(II) telluride — Chembox new Name = Lead(II) telluride ImageFile = Lead(II) telluride.jpg ImageName = Lead(II) telluride OtherNames = Lead telluride Section1 = Chembox Identifiers CASNo = 1314 91 6 Section2 = Chembox Properties Formula = PbTe MolarMass = 334.80… …
55Mercury(II) telluride — Mercury telluride (HgTe) is a binary chemical compound of mercury and tellurium. It is a semi metal related to the II VI group of semiconductor materials. Alternative names are mercuric telluride and mercury (II) telluride. HgTe occurs in nature… …
56Kinetic inductance — is the manifestation of the inertial mass of mobile charge carriers in alternating electric fields as an equivalent series inductance. Kinetic inductance is observed in high carrier mobility conductors (e.g. superconductors), and at high… …
57Augustus Matthiessen — Infobox Scientist name = Augustus Matthiessen image width = caption = Augustus Matthiessen birth date = birth date|1831|1|2 birth place = London United Kingdom residence = nationality = British death date = death date and age|1870|10|6|1831|1|2… …
58AlGaAs — Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und… …
59Aluminium-Gallium-Arsenid — Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und… …
60Drain — Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart… …
