diffusion transistor
51SEMICONDUCTEURS — Les semiconducteurs sont des corps solides dont la conductivité électrique se situe entre celle des métaux et celle des isolants. La conductivité électrique est une propriété qui varie énormément d’un corps à l’autre et, pour un solide donné, est …
52Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed …
53Active pixel sensor — An active pixel sensor (APS) is an image sensor consisting of an integrated circuit containing an array of pixel sensors, each pixel containing a photodetector and an active amplifier. There are many types of active pixel sensors including the… …
54Subthreshold leakage — Bei subthreshold leakage (dt. »Unterschwellspannungsleckstrom«) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… …
55Unterschwellspannungsstrom — Bei subthreshold leakage (dt. »Unterschwellspannungsleckstrom«) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… …
56MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up …
57Mesatransistor — Schematischer Querschnitt durch einen Diffusions Mesatranssitor in linearer anordnung Unter Mesatransistor (englisch mesa transistor) versteht man eine Gruppe von Transistoren, durch ein Diffusionsverfahren hergestellt werden und zählt daher …
58Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… …
59P-n junction — A p n junction is a junction formed by combining P type and N type semiconductors together in very close contact. The term junction refers to the region where the two regions of the semiconductor meet. It can be thought of as the border region… …
60William Shockley — Infobox Scientist name = William Shockley imagesize = 145px birth date = Birth date|1910|2|13|df=yes birth place = London, England death date = Death date and age|1989|8|12|1910|2|13|df=yes death place = Stanford, California alma mater=CaltechMIT …
