deep-submicron ic
1Schrägbeleuchtung — (englisch off axis illumination) – seltener Schrägbelichtung oder außeraxiale Belichtung genannt – bezeichnet in der Halbleitertechnik ein fortgeschrittenes Belichtungsverfahren bei der fotolithografischen Strukturierung. Es bietet die… …
2DSM — or dsm may refer to: Contents 1 Business 2 Computing 3 Military 4 …
3Chemical-mechanical planarization — Chemical Mechanical Polishing/Planarization is a process of smoothing surfaces with the combination of chemical and mechanical forces. It can be thought of as a hybrid of chemical etching and free abrasive polishing. Contents 1 Description 2… …
4Chipdesign — Chipentwurf (oder Chipentwicklung) bezeichnet den Prozess der Entwicklung eines Mikrochips von der ersten Idee über die Spezifikation und Umsetzung in einen Schaltplan und ein Layout bis zum gefertigten Chip. Inhaltsverzeichnis 1 Entwurfsmethoden …
5Chipentwurf — (oder Chipentwicklung) bezeichnet in der Mikroelektronik den Prozess der Entwicklung eines Mikrochips von der ersten Idee über die Spezifikation und Umsetzung in einen Schaltplan und ein Layout bis zum gefertigten Schaltkreis. Inhaltsverzeichnis… …
6Geschwindigkeitssättigung — Die Geschwindigkeitssättigung (englisch velocity saturation) bezeichnet einen der Kurzkanaleffekte bei Feldeffekttransistoren (FETs). Bei hohen Drainspannungen oder kleiner Kanallänge ( ) wird das longitudinale elektrische Feld E im Kanal… …
7LOCOS-Prozess — LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an… …
8Velocity saturation — Die Geschwindigkeitssättigung (engl. velocity saturation) bezeichnet einen der Kurzkanaleffekte bei Feldeffekttransistoren (FETs). Bei hohen Drainspannungen oder kleiner Kanallänge ( ) wird das longitudinale elektrische Feld E im Kanal sehr groß …
9Negative bias temperature instability — (NBTI) is a key reliability issue in MOSFETs. It is of immediate concern in p channel MOS devices, since they almost always operate with negative gate to source voltage; however, the very same mechanism affects also nMOS transistors when biased… …
10Химико-механическая планаризация — Причина введения CMP: слева показан срез чип …
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