chemical depot
21Dépôt physique par phase vapeur — Le dépôt physique en phase vapeur (ou PVD pour l anglais physical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces. Une autre méthode de dépôt sous vide de films minces est le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l… …
22dépôt par réduction — cheminis dengimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chemical plating; electroless plating vok. stromlose Plattierung, f; Tauchplattierung, f rus. покрытие методом химического восстановления, n pranc. déposition par réduction,… …
23dépôt chimique en phase vapeur à pression atmosphérique — cheminis garinis nusodinimas atmosferos slėgyje statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. atmospheric pressure chemical vapor deposition vok. chemische Abscheidung aus der Gasphase bei atmosphärischem Druck, f rus. химическое… …
24dépôt chimique en phase vapeur à haute température — aukštatemperatūris cheminis garinis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high temperature chemical vapor deposition vok. chemische Hochtemperaturabscheidung aus der Gasphase, f rus. высокотемпературное химическое… …
25dépôt chimique en phase vapeur — cheminis garinis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chemical vapor deposition vok. chemische Abscheidung aus der Gasphase, f rus. химическое осаждение из паровой фазы, n pranc. déposition chimique en phase vapeur,… …
26dépôt chimique en phase vapeur métallo-organique — cheminis garinis metaloorganinio junginio nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metallo organic chemical vapor deposition vok. chemische metallorganische Abscheidung aus der Gasphase, f rus. химическое осаждение… …
27dépôt chimique en phase vapeur à pression réduite — cheminis garinis nusodinimas mažesniame slėgyje statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reduced pressure chemical vapor deposition vok. chemische Abscheidung aus der Gasphase bei reduziertem Druck, f rus. химическое осаждение из… …
28dépôt chimique en phase vapeur de silane — cheminis nusodinimas iš silano garų statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silane chemical vapor deposition vok. chemische Abscheidung aus der Silan Gasphase, f rus. химическое осаждение из паровой фазы силана, n pranc. dépôt… …
29dépôt chimique de couche épitaxiale en phase vapeur — epitaksinis cheminis garinis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial chemical vapor deposition vok. chemische Epitaxialabscheidung aus der Gasphase, f rus. эпитаксиальное химическое осаждение из паровой фазы, n …
30dépôt plasmachimique en phase vapeur — plazmocheminis garinis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. plasma chemical vapor deposition vok. plasmachemische Gasphasenabscheidung, f rus. плазмохимическое осаждение из паровой фазы, n pranc. dépôt plasmachimique… …
