эпитаксиальный полупроводниковый прибор
1ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …
2Молекулярно-пучковая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслон …
3МЛЭ — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… …
4Молекулярно-лучевая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… …
5Молекулярно — лучевая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… …
6Молекулярно — пучковая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… …
7Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре  прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги  выводы коллектора и эми …
