эпитаксиальная плёнка
1эпитаксиальная плёнка подложки — epitaksinis padėklinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial substrate film vok. auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальная плёнка подложки, f pranc. film épitaxial pour… …
2Шотки диод — Шоттки диод, диод с барьером Шотки, Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл полупроводник; назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938 39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на… …
3Диод Шоттки — У этого термина существуют и другие значения, см. Диод (значения). Условное обозначение диода Шоттки НЕ по ГОСТ 2 …
4auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht — epitaksinis padėklinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial substrate film vok. auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальная плёнка подложки, f pranc. film épitaxial pour… …
5epitaksinis padėklinis sluoksnis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial substrate film vok. auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальная плёнка подложки, f pranc. film épitaxial pour substrat, m …
6epitaxial substrate film — epitaksinis padėklinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial substrate film vok. auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальная плёнка подложки, f pranc. film épitaxial pour… …
7film épitaxial pour substrat — epitaksinis padėklinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial substrate film vok. auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальная плёнка подложки, f pranc. film épitaxial pour… …
8Микроэлектроника — область электроники (См. Электроника), занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. Возникновение М. в начале 60 х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением… …
9Эпитаксия — (от Эпи... и греч. táxis расположение, порядок) ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию) …
10ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… …
