уровень ионизации
61Полупроводник — Монокристаллический кремний  полупроводниковый материал, наиболее широко …
62Планетарная инженерия — Терраформирование (лат. terra земля и forma вид) изменение климатических условий планеты, спутника или же иного космического тела для приведения атмосферы, температуры и экологических условий в состояние, пригодное для обитания земных животных …
63Уровни энергии — возможные значения энергии квантовых систем, т. е. систем, состоящих из микрочастиц (электронов, протонов и др. элементарных частиц, атомных ядер, атомов, молекул и т.д.) и подчиняющихся законам квантовой механики (См. Квантовая механика) …
64ДОНОРНАЯ ПРИМЕСЬ — примесь в полупроводнике, ионизация к рой приводит к переходу электрона в зону проводимости или на уровень акцепторной примеси. Типичный пример Д. п. примеси элементов V группы (Р, As, Sb, Bi) в элементарных полупроводниках IV группы Ge и Si. В… …
65Область H II — NGC 604, гигантская область H II в Галактике Треугольника …
66Зона H II — NGC 604, гигантская область H II в Галактике Треугольника. Область (зона) H II, или область ионизированного водорода (разновидность эмиссионной туманности) это облако горячего газа и плазмы, достигающее нескольких сотен световых лет в… …
67Область ионизированного водорода — NGC 604, гигантская область H II в Галактике Треугольника. Область (зона) H II, или область ионизированного водорода (разновидность эмиссионной туманности) это облако горячего газа и плазмы, достигающее нескольких сотен световых лет в… …
68Эмиссионная туманность с рассеянным скоплением — NGC 604, гигантская область H II в Галактике Треугольника. Область (зона) H II, или область ионизированного водорода (разновидность эмиссионной туманности) это облако горячего газа и плазмы, достигающее нескольких сотен световых лет в… …
69РАДИОАКТИВНОСТЬ — РАДИОАКТИВНОСТЬ, свойство нек рых хим. элементов самопроизвольно превращаться в другие элементы. Это превращение или радиоактивный распад сопровождается выделением энергии в виде различных корпускулярных и лучистых радиации. Явление Р. было… …
70ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный… …
