транзистор со структурой
1ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …
2Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… …
3Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… …
4транзистор с вертикальной структурой — stačiasis tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical transistor vok. Vertikaltransistor, m rus. вертикальный транзистор, m; транзистор с вертикальной структурой, m pranc. transistor à structure verticale, m …
5транзистор с гребенчатой структурой — šukinės sandaros tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. interdigitated transistor vok. Transistor mit Kammstruktur, m rus. транзистор с гребенчатой структурой, m pranc. transistor à structure interdigitale, m …
6МОП-транзистор — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) МОП транзистор (MOSFET) Полевой транзистор со структурой металл оксид полупроводник. Современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП транзисторах (МОПТ) как более… …
7ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром изменение тока происходит под действием перпендикулярного ему электрич. поля, создаваемого входным сигналом. Протекание рабочего тока в П. т. обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому …
8четырехслойный транзистор — Транзистор с р п р п или п р п р структурой, в вольтамперных характеристиках которого имеется область отрицательного дифференциального сопротивления …
9полевой транзистор с вертикальной структурой — stačiasis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical field effect transistor; vertical channel field effect transistor vok. vertikaler Feldeffekttransistor, m rus. вертикальный полевой транзистор, m;… …
10МОП-транзистор — Полевой транзистор с МОП структурой затвора; токи протекают в канале между истоком и стоком; канал создается при прикладывании соответствующего потенциала к выводу затвора и инвертировании поверхности полупроводника под затвором; МОП структура… …
