технология моп-структур с самосовмещёнными затворами
1технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self registered gate MOS process vok. selbstjustierte Gate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными… …
2технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus …
3технология МОП-структур с самосовмещёнными поликремниевыми затворами — MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология… …
4MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным… …
5MOS-Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus …
6self-aligned thick oxide MOS process — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus …
7technologie des circuits intégrés MOS à grilles auto-alignées et à couche d'oxyde épaisse — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus …
8MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self registered gate MOS process vok. selbstjustierte Gate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными затворами, f pranc. technologie des structures MOS à grilles auto… …
9selbstjustierte Gate-MOS-Technologie — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self registered gate MOS process vok. selbstjustierte Gate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными… …
10self-registered gate MOS process — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self registered gate MOS process vok. selbstjustierte Gate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными… …
- 1
- 2
