технология кмоп ис с кнс-структурой

  • 1технология КМОП-структур с КНС-структурой — jungtinių MOP darinių ant safyro technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS on sapphire process vok. komplementäre MOS Silizium auf Saphir Technologie, f rus. технология КМОП структур с КНС структурой, f pranc.… …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 2CMOS-on-sapphire process — jungtinių MOP darinių ant safyro technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS on sapphire process vok. komplementäre MOS Silizium auf Saphir Technologie, f rus. технология КМОП структур с КНС структурой, f pranc.… …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 3jungtinių MOP darinių ant safyro technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS on sapphire process vok. komplementäre MOS Silizium auf Saphir Technologie, f rus. технология КМОП структур с КНС структурой, f pranc. technologie CMOS sur saphir, f …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 4komplementäre MOS-Silizium-auf-Saphir-Technologie — jungtinių MOP darinių ant safyro technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS on sapphire process vok. komplementäre MOS Silizium auf Saphir Technologie, f rus. технология КМОП структур с КНС структурой, f pranc.… …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 5technologie CMOS sur saphir — jungtinių MOP darinių ant safyro technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS on sapphire process vok. komplementäre MOS Silizium auf Saphir Technologie, f rus. технология КМОП структур с КНС структурой, f pranc.… …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 6Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д …

    Википедия

  • 7SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …

    Википедия

  • 8Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …

    Википедия

  • 9КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …

    Википедия

  • 10Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …

    Википедия