с высокой степенью интеграции

  • 11Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д …

    Википедия

  • 12SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …

    Википедия

  • 13Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …

    Википедия

  • 14КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …

    Википедия

  • 15Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …

    Википедия

  • 16AMT Electronics — Год основания 1987[1] Прежние названия Asia, Asia MT [1] Основатели Серг …

    Википедия

  • 17Rockchip — Fuzhou Rockchip Electronics Co., Ltd Год основания 2001 Расположение Fuzhou, Китай Сайт www.rock chips.com Rockchip …

    Википедия

  • 18БОЛЬШАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА — (БИС) интегральная схема с высокой степенью интеграции (число элементов в ней достигает 104), используемая в электронной аппаратуре как функционально законченный узел устройств вычислительной техники, автоматики, измерительной техники и др …

    Большой Энциклопедический словарь

  • 19ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА — интегралъная схема, в к рой наряду с выполненными на поверхности диэлектрич. подложки плёночными пассивными элементами (см. Плёночная интегральная схема) используются навесные (гл. обр. бескорпусные) дискретные ПП приборы и ПП интегральные схемы …

    Большой энциклопедический политехнический словарь

  • 20Silicon Integrated Systems — Corp. (SiS) 矽統科技 Тип Публичная компания (Тайваньская фондовая биржа: TSE2363) Год основания 1987 Расположение …

    Википедия