структуре
11конденсатор на структуре металл-оксид-металл — metalo oksido metalo kondensatorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide metal capacitor vok. Metall Oxid Metall Kondensator, m rus. конденсатор на структуре металл оксид металл, m; металлооксидный конденсатор, m… …
12технология на КНД-структуре — silicio darinių ant dielektriko technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on insulator technology vok. Silizium auf Dielektrikum Technologie, f rus. КНД технология, f; технология на КНД структуре, f pranc.… …
13способ изоляции в КНС-структуре — silicio darinių ant safyro izoliavimo būdas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire isolation technique vok. Silizium auf Saphir Isolationstechnik, f rus. способ изоляции в КНС структуре, m pranc. technique d… …
14технология на структуре типа кремний на сапфире — silicio darinių ant safyro technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire approach; silicon on sapphire technology vok. Silizium auf Saphir Technologie, f rus. КНС технология, f; технология на структуре… …
15транзистор на КНС-структуре — silicio tranzistorius ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire transistor vok. Silizium auf Saphir Transistor, m rus. транзистор на КНС структуре, m pranc. transistor à structure silicium sur saphir, m …
16технология на структуре типа кремний в диэлектрике — silicio darinių dielektrike technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon in insulator technology vok. Silizium im Isolator Technologie, f rus. технология на структуре типа кремний в диэлектрике, f pranc. technologie… …
17технология на структуре типа кремний в сапфире — silicio darinių safyre technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon in sapphire technology vok. Silizium im Saphir Technologie, f rus. технология на структуре типа кремний в сапфире, f pranc. technologie silicium au… …
18интегральная схема на КНД-структуре — integrinis silicio grandynas ant dielektriko statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated substrate silicon integrated circuit; silicon on insulator integrated circuit vok. integrierter Silizium auf Dielektrikum Schaltkreis, m… …
19большая интегральная схема на КНС-структуре — didelės integracijos silicio grandynas ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire/large scale integration vok. hochintegrierter Silizium auf Saphir Schaltkreis, m rus. большая интегральная схема на КНС… …
20интегральная схема на КНС-структуре — integrinis silicio grandynas ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire integrated circuit vok. integrierter Silizium auf Saphir Schaltkreis, m rus. интегральная схема на КНС структуре, f pranc. circuit… …