скорость роста кристалла
11НИТЕВИДНЫЕ КРИСТАЛЛЫ — ( усы , виcкерсы), монокристаллы в виде игл или волокон. Размеры Н. к. в одном направлении во много раз больше, чем в остальных: типичная длина от 0,5 мм до неск. мм, диаметр 0,5 50 мкм. Форма поперечного сечения Н, к. зависит от типа кристаллич …
12ЛАЗЕРНЫЙ ОТЖИГ — в узком, первонач. смысле восстановление под действием лазерного излучения кристаллич. структуры приповерхностных слоев полупроводников, нарушенной ионной имплантацией; открыт в 1975 в СССР [1]. Под Л. о. в широком смысле понимают структурные… …
13МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ — проводят разл. методами, обеспечивающими получение индивидуальных кристаллов заданного размера, формы и дефектности. При М. в. заранее полученные мелкие кристаллы (затравку) помещают в пересыщ. среду (пар, р р, расплав, твердое в во) и… …
14ЗАРОЖДЕНИЕ НОВОЙ ФАЗЫ — (зародышеобразование, нуклеация), процесс флуктуационного образования жизнеспособных центров выделения новой фазы при фазовых переходах первого рода. Различают 3. н. ф. гомогенное (в объеме материнской фазы) и гетерогенное (на посторонних… …
15КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — переход в ва из газообразного (парообразного), жидкого или твердого аморфного состояния в кристаллическое, а также из одного кристаллич. состояния в другое (рекристаллизация, или вторичная К.); фазовый переход первого рода. К. из жидкой или… …
16мартенситное превращение — [martensite transformation] фазовое превращение в твердом теле, происходит посредством кооперативного, взаимосвязанного перемещения (сдвигания) атомов на расстояния меньше межатомного без обмена атомов местами так, что соседи любого атома в… …
17Алмаз — У этого термина существуют и другие значения, см. Алмаз (значения). Алмаз Алмаз в материнской породе Формула C …
18Модель Дила-Гроува — описывает рост оксидных слоёв на поверхности различных материалов. В частности, она используется для анализа термического окисления кремния при производстве полупроводниковых приборов. Содержание 1 Физические основы 2 Следствия …
19Модель Дила — Модель Дила  Гроува  математическая модель, описывающая рост оксидных слоёв на поверхности различных материалов. В частности, используется для анализа термического окисления кремния при производстве полупроводниковых приборов.… …
20ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …
