сильнолегированный слой

  • 1сильнолегированный слой — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 2couche fortement dopée — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 3high-concentration layer — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 4highly-doped layer — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 5hochdotierte Schicht — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 6stipriai legiruotas sluoksnis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 7Принц-технология — Принц технология  метод формирования трёхмерных микро и наноструктур, основанный на отделении напряжённых полупроводниковых плёнок от подложки и последующего сворачивания их в пространственный объект. Технология названа в честь учёного… …

    Википедия