свободных носителей
61Фотоэлемент — электронный прибор, в котором в результате поглощения энергии падающего на него оптического излучения генерируется эдс (Фотоэдс) или электрический ток (фототок). Действие Ф. основывается на фотоэлектронной эмиссии (См. Фотоэлектронная… …
62ГИПЕРЗВУК — высокочастотная часть спектра упругих волн от 109 до 1012 1013 Гц. По физ. природе Г. ничем не отличается от ультразвука, частоты к рого простираются от 2•104 до 109 Гц. Однако благодаря более высоким частотам и, следовательно, меньшим, чем в… …
63МАГНИТНОЕ ПОЛЕ — силовое поле, действующее на движущиеся электрич. заряды и на тела, обладающие магнитным моментом (независимо от состояния их движения). М. п. характеризуется вектором магнитной индукции В. Значение В определяет силу, действующую в данной точке… …
64ОПТИЧЕСКАЯ АКТИВНОСТЬ — способность среды вызывать вращение плоскости поляризации проходящего через неё оптического излучения (света). Впервые обнаружена в 1811 франц. учёным Д. Ф. Араго в кварце. В 1815 франц. учёный Ж. Б. Био открыл О. а. чистых жидкостей (скипидара) …
65ОПТИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ ВЕЩЕСТВА — среды, обладающие естественной оптической активностью. О. а. в. подразделяются на два типа. Относящиеся к 1 му из них оптически активны в любом агрегатном состоянии (сахара, камфора, винная кислота), ко 2 му оптически активны только в крист. фазе …
66ЛАЗЕРНЫЙ ОТЖИГ — в узком, первонач. смысле восстановление под действием лазерного излучения кристаллич. структуры приповерхностных слоев полупроводников, нарушенной ионной имплантацией; открыт в 1975 в СССР [1]. Под Л. о. в широком смысле понимают структурные… …
67ПОВЕРХНОСТНЫЕ — ОПТИЧЕСКИЕВОЛНЫ (поверхностные поляритоны) поверхностные эл. магн. волны оптич. диапазона …
68СОБСТВЕННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — проводимость полупроводника, обусловленнаяэлектронами, возбуждёнными из валентной зоны в зону проводимости и дырками …
69ТЕПЛОВОЙ ПРОБОЙ — (электротепловой пробой) резкое увеличение электропроводности диэлектрика (или полупроводника) при прохождении через него электрич. тока, обусловленное джоулевым разогревом (см. Джоулевы потери )и нарушением теплового равновесия образца с… …
70ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД — (Эсаки диод) полупроводниковый диод, содержащий p n переход с очень малой толщиной запирающего слоя. Действие Т. д. основано на прохождении свободных носителей заряда (электронов) сквозь узкий потенц. барьер благодаря квантовомеханич. процессу… …
