рассасывание неосновных носителей
1активная часть базовой области — Часть базовой области, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда может происходить за время пролета их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу …
2активная часть базовой области — Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу. [ГОСТ 15133 77] Тематики полупроводниковые… …
3ПИ-МЕЗОНЫ — (p мезоны, пионы), группа из трёх нестабильных бесспиновых элем. ч ц двух заряженных (p+ и p ) и одной нейтральной (p°), относящихся к классу адронов и являющихся среди них наиболее лёгкими. Масса пионов промежуточная между массами протона и эл… …
