примесь внедрения
1примесь внедрения — — [А.С.Гольдберг. Англо русский энергетический словарь. 2006 г.] Тематики энергетика в целом EN interstitial impurity …
2пара примесь внедрения-вакансия — tarpmazginio ir vakansinio defektų pora statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. interstitial vacancy pair vok. Zwischengitteratom Leerstellen Paar, n rus. пара примесь внедрения вакансия, f pranc. paire d impureté interstitielle… …
3ПРИМЕСНЫЙ АТОМ — атом кристалла, хим. природа к рого отлична от хим. природы осн. атомов, образующих кристалл. П. а. относятся к точечным дефектам и приводят к нарушению строгой периодичности идеального кристалла. П. а. располагаются либо в узлах кристаллич.… …
4Zwischengitteratom-Leerstellen-Paar — tarpmazginio ir vakansinio defektų pora statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. interstitial vacancy pair vok. Zwischengitteratom Leerstellen Paar, n rus. пара примесь внедрения вакансия, f pranc. paire d impureté interstitielle… …
5interstitial-vacancy pair — tarpmazginio ir vakansinio defektų pora statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. interstitial vacancy pair vok. Zwischengitteratom Leerstellen Paar, n rus. пара примесь внедрения вакансия, f pranc. paire d impureté interstitielle… …
6paire d'impureté interstitielle-vacance — tarpmazginio ir vakansinio defektų pora statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. interstitial vacancy pair vok. Zwischengitteratom Leerstellen Paar, n rus. пара примесь внедрения вакансия, f pranc. paire d impureté interstitielle… …
7tarpmazginio ir vakansinio defektų pora — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. interstitial vacancy pair vok. Zwischengitteratom Leerstellen Paar, n rus. пара примесь внедрения вакансия, f pranc. paire d impureté interstitielle vacance, f …
8ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …
9ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… …
10Изоморфизм в кристаллах — Понятие изоморфизм впервые введено в науку Э. Митчерлихом в 1819 г. Первоначально оно означало внешнее сходство кристаллической формы у веществ, родственных по химическому составу. Современное определение понятия изоморфизма может быть выражено… …
