полупроводниковая пластина
11puslaidininkinė plokštelė — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. semiconductor slice; semiconductor wafer vok. Halbleiterscheibe, f rus. полупроводниковая пластина, f pranc. tranche semi conductrice, f …
12semiconductor slice — puslaidininkinė plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. semiconductor slice; semiconductor wafer vok. Halbleiterscheibe, f rus. полупроводниковая пластина, f pranc. tranche semi conductrice, f …
13semiconductor wafer — puslaidininkinė plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. semiconductor slice; semiconductor wafer vok. Halbleiterscheibe, f rus. полупроводниковая пластина, f pranc. tranche semi conductrice, f …
14tranche semi-conductrice — puslaidininkinė plokštelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. semiconductor slice; semiconductor wafer vok. Halbleiterscheibe, f rus. полупроводниковая пластина, f pranc. tranche semi conductrice, f …
15Изобретение интегральной схемы — Основная статья: Интегральная схема Идею интеграции множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника впервые предложил в 1952 году британский радиотехник Джеффри Даммер[en]. Год спустя Харвик Джонсон подал… …
16Микроэлектроника — область электроники (См. Электроника), занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. Возникновение М. в начале 60 х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением… …
17Планарная технология — планарный процесс (англ. planar, от лат. planus плоский, ровный), первоначально совокупность технологических операций, проводимых для получения полупроводниковых (ПП) приборов с электронно дырочными переходами (См. Электронно дырочный… …
18Пористый кремний — (por Si или ПК)  кремний, испещренный порами, то есть имеющий пористую структуру. Содержание 1 История 2 Классификация 3 Получение …
- 1
- 2
