осаждение методом распыления
1осаждение методом ионного распыления — jondulkis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ionsputter deposition vok. Aufsputtern, n; Aufstäubungsbeschichtung, f rus. осаждение методом ионного распыления, n pranc. dépôt par pulvérisation ionique, m …
2Пар-жидкость-кристалл — Эта статья содержит незавершённый перевод с иностранного языка. Вы можете помочь проекту, переведя её до конца. Если вы знаете, на каком языке написан фрагмент, укажите его в этом шаблоне …
3Aufsputtern — jondulkis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ionsputter deposition vok. Aufsputtern, n; Aufstäubungsbeschichtung, f rus. осаждение методом ионного распыления, n pranc. dépôt par pulvérisation ionique, m …
4Aufstäubungsbeschichtung — jondulkis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ionsputter deposition vok. Aufsputtern, n; Aufstäubungsbeschichtung, f rus. осаждение методом ионного распыления, n pranc. dépôt par pulvérisation ionique, m …
5dépôt par pulvérisation ionique — jondulkis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ionsputter deposition vok. Aufsputtern, n; Aufstäubungsbeschichtung, f rus. осаждение методом ионного распыления, n pranc. dépôt par pulvérisation ionique, m …
6ionsputter deposition — jondulkis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ionsputter deposition vok. Aufsputtern, n; Aufstäubungsbeschichtung, f rus. осаждение методом ионного распыления, n pranc. dépôt par pulvérisation ionique, m …
7jondulkis nusodinimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ionsputter deposition vok. Aufsputtern, n; Aufstäubungsbeschichtung, f rus. осаждение методом ионного распыления, n pranc. dépôt par pulvérisation ionique, m …
8Лазерная нанокерамика — Эта статья предлагается к удалению. Пояснение причин и соответствующее обсуждение вы можете найти на странице Википедия:К удалению/17 октября 2012. Пока процесс обсужден …
9Омический контакт — контакт между металлом и полупроводником или двумя полупроводниками, характеризующийся линейной симметричной вольт амперной характеристикой (ВАХ). Если ВАХ является асимметричной и нелинейной, контакт является не омическим а выпрямляющим,… …
10Цинк — I (фр., англ. Zinc, нем. Zink; хим. знак Zn, ат. вес 65,4). Хотя сплавы Ц. (напр., с медью латунь, см.) известны были человечеству с глубокой древности, но получение самого Ц. в отдельности относится к сравнительно недавнему времени XV или XVI… …
- 1
- 2