ориентация кристалла
31ДИСЛОКАЦИИ — (от позднелат. dislocatio смещение), дефекты кристалла, представляющие собой линии, вдоль и вблизи к рых нарушено характерное для кристалла правильное расположение ат. плоскостей. Механические свойства кристаллов прочность и пластичность в… …
32НЕЙТРОНОГРАФИЯ СТРУКТУРНАЯ — исследования атомной структуры конденсир. сред методом дифракции нейтронов низких энергий на атомных ядрах (упругого когерентного рассеяния). В H. с. используются нейтроны с длиной волны де Бройля l >= 0,3 Рассеяние нейтронной волны на… …
33Анизотропия — (от греч. ánisos неравный и tróроs направление) зависимость физических свойств вещества (механических, тепловых, электрических, магнитных, оптических) от направления (в противоположность изотропии (См. Изотропия) независимости свойств от… …
34МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ — возникновение в кристаллах намагниченности J при помещении их в электрич. поле E (J=aE). М. э. возможен только в магнитоупорядоченных кристаллах (антиферро , ферри и ферромагнетиках). На возможность существования М. э. указали впервые Л. Д.… …
35МАГНИТНАЯ АТОМНАЯ СТРУКТУРА — упорядоченное пространств. расположение магн. атомов кристалла в сочетании с определённой ориентацией и величиной их магн. моментов ( спинов)Si. Термин М. а. с. применяется в модели магнетизма, рассматривающей локализованные магн. моменты (см.… …
36ФЕРРИМАГНЕТИЗМ — магнитоупорядоченное состояние в ва, в к ром магн. моменты атомных носителей магнетизма образуют неск. подрешёток магнитных с магн. моментами Mi, направленными навстречу друг другу или имеющими более сложную пространств. ориентацию; отличная от… …
37Кристаллографическая точечная группа симметрии — Кристаллографическая точечная группа симметрии  это точечная группа симметрии, которая описывает макросимметрию кристалла. Поскольку в кристаллах допустимы оси (поворотные и несобственного вращения) только 1, 2, 3, 4 и 6 порядков, из всего… …
38Сегнетоэлектрики — кристаллические Диэлектрики, обладающие в определённом интервале температур спонтанной (самопроизвольной) поляризацией, которая существенно изменяется под влиянием внешних воздействий. Электрические свойства С. во многом подобны магнитным …
39ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… …
40Магнетизм —     Классическая электродинамика …
