область запирания
1область запирания — užtvaros sritis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. stop region vok. Sperrbereich, m rus. область заграждения, f; область запирания, f pranc. zone d’arrêt, f …
2область заграждения — užtvaros sritis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. stop region vok. Sperrbereich, m rus. область заграждения, f; область запирания, f pranc. zone d’arrêt, f …
3Sperrbereich — užtvaros sritis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. stop region vok. Sperrbereich, m rus. область заграждения, f; область запирания, f pranc. zone d’arrêt, f …
4stop region — užtvaros sritis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. stop region vok. Sperrbereich, m rus. область заграждения, f; область запирания, f pranc. zone d’arrêt, f …
5užtvaros sritis — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. stop region vok. Sperrbereich, m rus. область заграждения, f; область запирания, f pranc. zone d’arrêt, f …
6zone d’arrêt — užtvaros sritis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. stop region vok. Sperrbereich, m rus. область заграждения, f; область запирания, f pranc. zone d’arrêt, f …
7Диод Зенера — Обозначение стабилитрона на принципиальных схемах Обозначение двуханодного стабилитрона на принципиальных схемах Типовая схема включения стабилитрона …
8Зенеровский диод — Обозначение стабилитрона на принципиальных схемах Обозначение двуханодного стабилитрона на принципиальных схемах Типовая схема включения стабилитрона …
9Тиристор — Обозначение на схемах Тиристор  полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p n переходами и имеющий два устой …
10Динистор — Обозначение на схемах Тиристор полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с четырёхслойной структурой р n p n типа, обладающий в прямом направлении двумя устойчивыми состояниями состоянием низкой проводимости… …
