накопления носителей заряда

  • 1 время накопления носителей (заряда) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN carrier storage time …

    Справочник технического переводчика

  • 2 ИНЖЕКЦИЯ носителей — (от лат. injectio вбрасывание), проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда в полупроводник или диэлектрик под действием электрич. поля. Источником избыточных носителей служит контактирующий ПП или металл (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ… …

    Физическая энциклопедия

  • 3 ПЗС-ДЕТЕКТОР — координатный детекторчастиц, основой к рого является прибор с зарядовой связью (ПЗС,[1]). Создание детекторов частиц с высоким координатным разрешением однаиз важнейших задач ядерной физики и физики элементарных частиц (см. Координатныедетекторы) …

    Физическая энциклопедия

  • 4 P — n-переход — (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… …

    Википедия

  • 5 Р — n-переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …

    Википедия

  • 6 Электронно-дырочный переход — p  n переход (n  negative  отрицательный, электронный, p  positive  положительный, дырочный), или электронно дырочный переход  разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости …

    Википедия

  • 7 скорость — 05.01.18 скорость (обработки) [rate]: Число радиочастотных меток, обрабатываемых за единицу времени, включая модулированный и постоянный сигнал. Примечание Предполагается возможность обработки как движущегося, так и неподвижного множества… …

    Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • 8 Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… …

    Википедия

  • 9 Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… …

    Википедия

  • 10 Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор  трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… …

    Википедия

  • 11 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). В полупроводниковой активной …

    Физическая энциклопедия

  • 12 Магнетосопротивление — (магниторезистивный эффект)  изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле. Впервые эффект был обнаружен в 1856 Уильямом Томсоном. В общем случае можно говорить о любом изменении тока через образец при том же приложенном… …

    Википедия

  • 13 ПРИБОР С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ — (ПЗС) интегральная схема, представляющая собой совокупность МДП структур, сформированных на общей полупроводниковой подложке т. о., что полоски электродов образуют линейную или матричную регулярную структуру. Расстояния между соседними… …

    Физическая энциклопедия

  • 14 Магниторезистивный эффект — Магнетосопротивление (магниторезистивный эффект)  изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле. Впервые эффект был обнаружен в 1856 Уильямом Томсоном. В общем случае можно говорить о любом изменении тока через образец при том …

    Википедия

  • 15 Магнитосопротивление — Магнетосопротивление (магниторезистивный эффект)  изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле. Впервые эффект был обнаружен в 1856 Уильямом Томсоном. В общем случае можно говорить о любом изменении тока через образец при том …

    Википедия

  • 16 ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — (простые полупроводники), химические элементы, простые вещества которых проявляют полупроводниковые свойства (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). Полупроводниковые свойства проявляют 12 химических элементов, находящихся в средней части Периодической системы Д.… …

    Энциклопедический словарь

  • 17 инжекция — 1) ввод пучка заряженных частиц в ускоритель для дальнейшего ускорения или накопления частиц. 2) Проникновение неравновесных носителей заряда в полупроводник под действием электрического поля. Источник неравновесных носителей  контактирующие… …

    Энциклопедический словарь

  • 18 Диод Ганна — У этого термина существуют и другие значения, см. Диод (значения). Вольт амперная характеристика диода Ганна Диод Ганна (изобретён Джоном Ганном в 1963 году)  тип …

    Википедия

  • 19 полевой транзистор —  FET  (Field Effect Transistor)  Полевой транзистор (ПТ)   Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора созданный в полупроводнике и снабжённый… …

    Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.

  • 20 FET —  FET  (Field Effect Transistor)  Полевой транзистор (ПТ)   Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора созданный в полупроводнике и снабжённый… …

    Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.


We are using cookies for the best presentation of our site. Continuing to use this site, you agree with this.