моп-прибор с-каналом р-типа
1nМОП — NMOS (n Channel Metal Oxide Semiconductor) nМОП (n канальный металл оксид полупроводник) Сокращение от n канальный МОП прибор, употребляющееся в сочетаниях типа n канальный МОП транзистор, или n канальная МОП логика, или МОП структура с… …
2NMOS — NMOS (n Channel Metal Oxide Semiconductor) nМОП (n канальный металл оксид полупроводник) Сокращение от n канальный МОП прибор, употребляющееся в сочетаниях типа n канальный МОП транзистор, или n канальная МОП логика, или МОП структура с… …
3Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении …
4ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …
5Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… …
6Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… …
7БМ «Оплот» — …
8Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… …
9Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… …
