молекулярно-пучковая эпитаксия
11Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы — Химическое осаждение из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (анг. Metalorganic chemical vapour deposition) метод получения материалов, в том числе эпитаксиального роста полупроводников, путём термического разложения… …
12Гомоэпитаксия — Основная статья: Эпитаксия Гомоэпитаксия (автоєпитаксия) процесс ориентированного нарастания вещества, не отличающегося по химическому составу от вещества подложки. Пример: получение кремниевых и германиевых n+ n и p+ p в технологии… …
13Вакуумно-дуговое нанесение покрытий — (катодно дуговое осаждение) это физический метод нанесения покрытий (тонких плёнок) в вакууме, путём конденсации на подложку (изделие, деталь) материала из плазменных потоков, генерируемых на катоде мишени в катодном пятне вакуумной дуги… …
14УСТИНОВ Виктор Михайлович — (р. 1 июля 1958, Санкт Петербург), российский ученый физик, член корреспондент РАН (с 2006), доктор физико математических наук (1999). Окончил кафедру оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института (см. САНКТ ПЕТЕРБУРГСКИЙ… …
15СВЕРХВЫСОКИЙ ВАКУУМ — газовая среда с очень низкой плотностьюгаза, давление к рого р <10 6 Па. В природе С. в …
16MBE — латинская аббревиатура, которая может иметь следующие значения: Молекулярно пучковая эпитаксия (англ. Molecular Beam Epitaxy) способ наращивания кристаллов в сверхвысоком вакууме. Кавалер ордена Британской империи (англ. Member of the… …
17Silizium-Molekularstrahlepitaxie — molekulinė silicio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon molecular beam epitaxy vok. Silizium Molekularstrahlepitaxie, f rus. молекулярно пучковая эпитаксия кремния, f pranc. épitaxie de silicium par jet… …
18molekulinė silicio epitaksija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon molecular beam epitaxy vok. Silizium Molekularstrahlepitaxie, f rus. молекулярно пучковая эпитаксия кремния, f pranc. épitaxie de silicium par jet moléculaire, f …
19silicon molecular-beam epitaxy — molekulinė silicio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon molecular beam epitaxy vok. Silizium Molekularstrahlepitaxie, f rus. молекулярно пучковая эпитаксия кремния, f pranc. épitaxie de silicium par jet… …
20épitaxie de silicium par jet moléculaire — molekulinė silicio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon molecular beam epitaxy vok. Silizium Molekularstrahlepitaxie, f rus. молекулярно пучковая эпитаксия кремния, f pranc. épitaxie de silicium par jet… …
