кристалл соединения типа aii bvi
1ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… …
2ПЬЕЗОПОЛУПРОВОДНИКИ — вещества, обладающие одновременно ПП и пьезоэлектрич. св вами. К П. относятся Те, Se, полупроводники типа A IIBIV (CdS, CdSe, ZnO, ZnS), AIIIBV (GaAs, InSb) и др. Наибольшими значениями пьезоэлектрич. константы d (см. ПЬЕЗОЭЛЕКТРИКИ) обладают… …
