кремний на сапфире
1Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …
2КМОП-структура типа кремний на сапфире — jungtinis silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary MOS on sapphire structure; SOS complementary metal oxide semiconductor vok. CMOS auf Saphir Struktur, f; CMOS Struktur auf Saphirsubstrat …
3МОП-структура типа кремний на сапфире — silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor/silicon on sapphire structure; MOS on sapphire structure vok. MOS/Silizium auf Saphir Struktur, f rus. МОП структура типа кремний на… …
4структура типа кремний на сапфире — silicio darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire; silicon on sapphire structure vok. Silizium auf Saphir Struktur, f rus. КНС структура, f; структура типа кремний на сапфире, f pranc. structure… …
5технология на структуре типа кремний на сапфире — silicio darinių ant safyro technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon on sapphire approach; silicon on sapphire technology vok. Silizium auf Saphir Technologie, f rus. КНС технология, f; технология на структуре… …
6структура типа кремний в сапфире — silicio darinys safyre statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon in sapphire structure vok. Silizium im Saphir Struktur, f rus. структура типа кремний в сапфире, f pranc. structure silicium au saphir, f …
7технология на структуре типа кремний в сапфире — silicio darinių safyre technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon in sapphire technology vok. Silizium im Saphir Technologie, f rus. технология на структуре типа кремний в сапфире, f pranc. technologie silicium au… …
8Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д …
9кремниевая КМОП-структура на сапфире — jungtinis silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary MOS on sapphire structure; SOS complementary metal oxide semiconductor vok. CMOS auf Saphir Struktur, f; CMOS Struktur auf Saphirsubstrat …
10SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …
