концентрация дырок
1концентрация дырок — skylių tankis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. hole density; hole number density; volumic hole number vok. Löcherdichte, f; Löcherkonzentration, f; Löcherzahldichte, f rus. концентрация дырок, f; плотность дырок, f; плотность числа… …
2критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая концентрация дырок …
3Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — 30. Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника Критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
4критическая концентрация дырок проводимости — критическая концентрация дырок проводимости; критическая концентрация дыроа Концентрация дырок проводимости, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны …
5концентрация неосновных носителей (дырок) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN minority electron density …
6критическая концентрация дыроа — критическая концентрация дырок проводимости; критическая концентрация дыроа Концентрация дырок проводимости, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны …
7плотность дырок — skylių tankis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. hole density; hole number density; volumic hole number vok. Löcherdichte, f; Löcherkonzentration, f; Löcherzahldichte, f rus. концентрация дырок, f; плотность дырок, f; плотность числа… …
8плотность числа дырок — skylių tankis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. hole density; hole number density; volumic hole number vok. Löcherdichte, f; Löcherkonzentration, f; Löcherzahldichte, f rus. концентрация дырок, f; плотность дырок, f; плотность числа… …
9ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… …
10ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… …
