кмоп-зу
11КМОП-структура с двумя слоями поликристаллического кремния — jungtinis dvisluoksnio polikristalinio silicio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double level polysilicon CMOS structure; poly squared CMOS; poly squared CMOS structure vok. komplementäre MOS Struktur mit zwei… …
12КМОП-структура с двумя уровнями поликристаллического кремния — jungtinis dvisluoksnio polikristalinio silicio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double level polysilicon CMOS structure; poly squared CMOS; poly squared CMOS structure vok. komplementäre MOS Struktur mit zwei… …
13КМОП технология — jungtinių MOP darinių technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS process; complementary MOS process vok. komplementäre MOS Technik, f rus. КМОП технология, f pranc. technologie CMOS, f …
14КМОП-структура — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… …
15КМОП-структура с изолированными кремниевыми затворами — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit …
16КМОП-микропроцессор с КНС-структурой — mikroprocesorius su jungtiniais MOP dariniais ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS on sapphire microprocessor vok. komplementärer MOS/Silizium auf Saphir Mikroprozessor, m rus. КМОП микропроцессор с КНС структурой …
17КМОП-структура с многоуровневыми затворами — jungtinis MOP darinys su daugiapakopėmis užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. stacked gate complementary MOS; stacked gate complementary MOS structure vok. komplementäre Stapelgate MOS, f; Stapelgate CMOS, f rus. КМОП… …
18КМОП технология на полупроводниковой подложке — jungtinių MOP darinių su puslaidininkiniu padėklu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk CMOS process; bulk complementary MOS process vok. volumenkomplementäre MOS Technologie, f rus. КМОП технология на… …
19КМОП-прибор без защёлкивания — jungtinis nefiksuojamojo perjungimo MOP įtaisas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. latchup free CMOS device vok. latchupfreier CMOS Baustein, m; latchupfreier komplementärer MOS Baustein, m rus. КМОП прибор без защёлкивания, m… …
20КМОП-технология с карманами n-типа — jungtinių MOP darinių su n laidumo kišenėmis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n well CMOS process; n well CMOS technology vok. komplementäre n Wannen MOS Technik, f rus. КМОП технология с карманами n типа, f… …