ис с гетеропереходами
1полупроводниковый прибор с двумя гетеропереходами — puslaidininkinis darinys su dviem įvairialytėmis sandūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double heterojunction semiconductor; double heterojunction semiconductor structure vok. Halbleiter mit zwei Heteroübergängen, m rus …
2интегральная схема с гетеропереходами — integrinis grandynas su įvairialytėmis sandūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterointegrated circuit vok. integrierter Schaltkreis mit Heteroübergängen, m rus. интегральная схема с гетеропереходами, f pranc. circuit… …
3Полупроводниковая электроника — отрасль электроники (См. Электроника), занимающаяся исследованием электронных процессов в полупроводниках и их использованием главным образом в целях преобразования и передачи информации. Именно с успехами П. э. связаны, в основном,… …
4Полупроводниковый лазер — полупроводниковый квантовый генератор, Лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие от лазеров др. типов, используются излучательные Квантовые переходы не между изолированными уровнями энергии… …
5Физика — I. Предмет и структура физики Ф. – наука, изучающая простейшие и вместе с тем наиболее общие закономерности явлений природы, свойства и строение материи и законы её движения. Поэтому понятия Ф. и сё законы лежат в основе всего… …
6Фотография — (от Фото... и ...графия) совокупность методов получения стабильных во времени изображений предметов и оптических сигналов на светочувствительных слоях (СЧС) путём закрепления фотохимических или фотофизических изменений, возникающих в СЧС… …
7ИНТЕГРАЛЬНАЯ ОПТИКА — раздел совр. оптики, осн. задачей к рого явл. изучение и использование особенностей генерации, распространения и преобразования световых волн в тонких слоях прозрачных материалов, а также разработка принципов и методов создания и интеграции оптич …
8ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). В полупроводниковой активной …
9ОПТИЧЕСКИЕ КОМПЬЮТЕРЫ — интенсивноразрабатываемое в 1980 90 е гг. новое поколение вычислит. техники (компьютеров)на основе использования оптич. излучения в качестве носителя информации …
10p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… …
