ионный синтез
1ИОННЫЙ ТЕРМОЯДЕРНЫЙ СИНТЕЗ — (ИТС) возбуждение реакции термоядерного синтеза в дейтерийтритиевой (DT) мишени путём сжатия и разогрева мишени бомбардировкой пучками ускоренных ионов. ИТС не осуществлён, а находится в стадии разработки …
2ИОННЫЙ ТЕРМОЯДЕРНЫЙ СИНТЕЗ — ИОННЫЙ ТЕРМОЯДЕРНЫЙ СИНТЕЗ, возбуждение термоядерной реакции (см. ТЕРМОЯДЕРНЫЕ РЕАКЦИИ) в мишени из дейтерия трития путем сжатия и разогрева ее пучками ускоренных ионов (см. ИОНОНЫ) …
3УПРАВЛЯЕМЫЙ ТЕРМОЯДЕРНЫЙ СИНТЕЗ — (УТС) процесс слияния лёгких атомных ядер, проходящий с выделением энергии при высоких темп pax в регулируемых управляемых условиях. УТС пока ещё не реализован. Для осуществления реакций синтеза реагирующие ядра должны быть сближены на расстояние …
4Сильноточный импульсный ионный ускоритель — Сильноточный импульсный ускоритель ионов. Основная задача  формирование и ускорение пучков ионов высокой плотности. Содержание 1 Область применения 2 История развития …
5РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ — структурные повреждения, образующиеся при облучении тв. тел потоками ч ц и жёстким электромагн. (гамма и рентгеновским) излучением. Переданная тв. телу энергия расходуется (частично) на разрыв межатомных связей. Для образования простейшего Р. д.… …
6ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ — (ионное внедрение, ионное легирование) введение примесных атомов в твёрдое тело бомбардировкой его поверхности ускореннымиионами. При ионной бомбардировке мишени наряду с процессами распыления поверхности, ионно ионной эмиссии, образования… …
7наноэлектроника — Термин наноэлектроника Термин на английском nanoelectronics Синонимы Аббревиатуры Связанные термины искусственный фотосинтез, наноалмаз Определение область науки и техники, связанная с разработкой архитектур и технологий производства… …
8Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д …
9SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …
10Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …