ионная имплантация для формирования эмиттера
1ионная имплантация для формирования эмиттера — emiterio jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter ion implantation vok. Emitterimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования эмиттера, f pranc. implantation ionique pour formation des zones… …
2Emitterimplantation — emiterio jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter ion implantation vok. Emitterimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования эмиттера, f pranc. implantation ionique pour formation des zones… …
3emiterio jonų implantavimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter ion implantation vok. Emitterimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования эмиттера, f pranc. implantation ionique pour formation des zones émettrices, f …
4emitter ion implantation — emiterio jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter ion implantation vok. Emitterimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования эмиттера, f pranc. implantation ionique pour formation des zones… …
5implantation ionique pour formation des zones émettrices — emiterio jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. emitter ion implantation vok. Emitterimplantation, f rus. ионная имплантация для формирования эмиттера, f pranc. implantation ionique pour formation des zones… …
6ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …