инверсный слой
1инверсный слой — Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля… …
2инверсный слой — Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника, обычно в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний или внешнего электрического поля у… …
3Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… …
4Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… …
5Электронно-дырочный переход — (p n переход) область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… …
6Гигантское магнетосопротивление — Гигантское магнетосопротивление, гигантское магнитосопротивление[1], ГМС (англ. Giant magnetoresistance, GMR)  квантовомеханический эффект, наблюдаемый в тонких металлических плёнках, состоящих из чередующихся ферромагнитных и… …
7Английский язык — Самоназвание: English, the English language Страны: распространён по всему миру …
