затвор полевого транзистора
21МОП-структура — (металл  оксид  полупроводник)  наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл … …
22EEPROM — Типы компьютерной памяти Энергозависимая DRAM (в том числе DDR SDRAM) SRAM Перспективные T RAM Z RAM TTRAM Из истории Память на линиях задержки Запоминающая электронстатическая трубка Запоминающая ЭЛТ Энергонезависимая ПЗУ …
23ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром изменение тока происходит под действием перпендикулярного ему электрич. поля, создаваемого входным сигналом. Протекание рабочего тока в П. т. обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому …
24Усилитель электрических колебаний — устройство, предназначенное для усиления электрических (электромагнитных) колебаний в системах многоканальной связи, радиоприёмной, радиопередающей, измерительной и др. аппаратуре. Такое усиление представляет собой процесс управления… …
25N-МОП — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей …
26Флеш-память — Не следует путать с картами памяти. Не следует путать с USB флеш накопителями. У этого термина существуют и другие значения, см. Флеш. Типы компьютерной памяти Энергозависимая DRAM (в том числе DDR SDRAM) SRAM Перспективные T RAM Z RAM TTRAM Из… …
27Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг …
28IGBT — Условное графическое обозначение IGBT. IGBT, БТИЗ (от англ. Insulated gate bipolar transistor  …
29ЛИЗМОП — Эту страницу предлагается объединить с Транзистор с плавающим затвором …
30полевой транзистор — FET (Field Effect Transistor) Полевой транзистор (ПТ) Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора созданный в полупроводнике и снабжённый… …
