дополнительное поле
1дополнительное битовое поле — Битовое поле, которое иногда вставляется (для кодирования абстрактного значения), а иногда опускается (МСЭ Т Х.692). [http://www.iks media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324] Тематики электросвязь, основные понятия EN optional bit field …
2Правило гола, забитого на чужом поле — Правило гола, забитого на чужом поле  это правило регламентов соревнований по футболу и другим игровым видам спорта (например, гандболу), используемое для разрешения ситуации, при которой две соревнующиеся команды, встретившиеся на стадии… …
3Правило 1:Поле для игры — Футбольное поле площадка для игры в футбол. Её размеры и разметка регламентируются Правилом 1. Поле для игры Правил игры в футбол. Разметка футбольного поля Содержание 1 История 2 Размеры …
4Уайтинг Аэродром (станция авиации ВМС США) — Координаты: 30°42′41″ с. ш. 87°01′14″ з. д. / 30.711389° с. ш. 87.020556° з. д …
5Уайтинг (авиационная база) — Координаты: 30°42′41″ с. ш. 87°01′14″ з. д. / 30.711389° с. ш. 87.020556° з. д.  …
6Суррогатный ключ — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей …
7Механизм Хиггса — Стиль этой статьи неэнциклопедичен или нарушает нормы русского языка. Статью следует исправить согласно стилистическим правилам Википедии. Хиггсовский механизм или механизм Хиггса (точнее, механизм Андерсона  Хиггса), предложенный ан …
8Механизм Андерсона-Хиггса — Хиггсовский механизм или механизм Хиггса (точнее, механизм Андерсона Хиггса), предложенный английским физиком Питером Хиггсом в 1964 г. и основанный на предположении Филиппа Андерсона, теория, которая описывает, как приобретают массы все… …
9Хиггсовский механизм — или механизм Хиггса (точнее, механизм Андерсона Хиггса), предложенный английским физиком Питером Хиггсом в 1964 г. и основанный на предположении Филиппа Андерсона, теория, которая описывает, как приобретают массы все элементарные частицы.… …
10Ганна эффект — явление генерации высокочастотных колебаний электрического тока j в полупроводнике, у которого объемная Вольтамперная характеристика имеет N образный вид (рис. 1). Эффект был обнаружен впервые американским физиком Дж. Ганном (J. Gunn) в… …
