донорных примесей
21Ионная имплантация — Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии. Ионная имплантация  способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки ег …
22Планарная технология — планарный процесс (англ. planar, от лат. planus плоский, ровный), первоначально совокупность технологических операций, проводимых для получения полупроводниковых (ПП) приборов с электронно дырочными переходами (См. Электронно дырочный… …
23Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей. Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и… …
24ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ — (от англ. planar плоский) высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической пленки на поверхности кристаллического… …
25КОМПЕНСИРОВАННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК — полупроводник, содержащий одновременно доноры и акцепторы. Эл ны, отдаваемые донорами, захватываются акцепторами, что приводит к уменьшению концентрации n подвижных носителей заряда. Наличие даже малой концентрации компенсирующей примеси (при нек …
26фотопроводимость — увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости увеличение концентрации носителей заряда электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. * * * ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ… …
27ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ — (от англ. planar плоский) высокопроизводит. метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Осн. операции П. т.: нанесение тонкой диэлектрич. плёнки на поверхность кристаллич. полупроводника (Si, Ge, GaAs и др.);… …
28ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ — (от англ planar плоский), высокопроизводит. метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Осн. операции П. т : создание тонкой диэлектрич. плёнки на поверхности кристаллич. полупроводника (Si, Ge, GaAs); удаление… …
29ПЗС-матрица — …
30Компенсированный полупроводник — легированный полупроводник с примерно одинаковой концентрацией доноров и акцепторов, свойства которого близки к собственным полупроводникам. Для многих практических применений возникает потребность получать полупроводники с малой проводимостью.… …
