диффузия примеси
1Диффузия в кристалле — Диффузия  это обусловленный хаотическим тепловым движением перенос атомов, он может стать направленным под действием градиента концентрации или температуры. Диффундировать могут как собственные атомы решетки (самодиффузия или гомодиффузия),… …
2диффузия акцепторной примеси — akceptorių difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. diffusion of acceptors; p type diffusion vok. p Diffusion, f rus. диффузия акцепторной примеси, f; диффузия акцепторов, f pranc. diffusion type p, f …
3диффузия донорной примеси — donorų difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. diffusion of donors; n type diffusion vok. n Diffusion, f rus. диффузия донорной примеси, f; диффузия доноров, f pranc. diffusion d impureté donatrice, f …
4диффузия из жидкого источника примеси — skystafazė difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. liquid diffusion vok. Diffusion aus flüssiger Diffusionsquelle, f rus. диффузия из жидкого источника примеси, f pranc. diffusion en dopant liquide, f …
5диффузия легирующей примеси — legiravimo priemaišų difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping impurity diffusion vok. Störstellendiffusion, f rus. диффузия легирующей примеси, f pranc. diffusion d impureté dopante, f …
6диффузия акцепторов — akceptorių difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. diffusion of acceptors; p type diffusion vok. p Diffusion, f rus. диффузия акцепторной примеси, f; диффузия акцепторов, f pranc. diffusion type p, f …
7диффузия доноров — donorų difuzija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. diffusion of donors; n type diffusion vok. n Diffusion, f rus. диффузия донорной примеси, f; диффузия доноров, f pranc. diffusion d impureté donatrice, f …
8КВАНТОВАЯ ДИФФУЗИЯ — диффузия, при к рой в перемещении атомов гл. роль играет туннельный переход, а не обычный надбарьерный переход атомов из одного положения равновесия в другое (см. ДИФФУЗИЯ, ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ). Физический энциклопедический словарь. М.: Советская… …
9Газофазная эпитаксия — Газофазная эпитаксия  получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро газовой фазы. Наиболее часто применяется в технологии кремниевых, германиевых и арсенид галлиевых полупроводниковых приборов и интегральных… …
10Озмидов, Ростислав Всеволодович — Ростислав Всеволодович Озмидов Дата рождения: 29 января 1928(1928 01 29) Место рождения: Иваново Вознесенск, РСФСР, СССР Дата смерти: 4 февраля 1998 …
