биполярного транзистора
41выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала — 1. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току. Обозначение h22 2. Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению… …
42граничное напряжение биполярного транзистора — Ндп. напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера. Обозначение UКЭОгр U(L)CEO [ГОСТ 20003 74]… …
43импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора — Обозначение PИ PM [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN peak power dissipation DE Impulsverlustleistung FR puissance dissipée de crête …
44коэффициент насыщения биполярного транзистора — Ндп. степень насыщения Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения. Обозначение Kнас Ksat [ГОСТ 20003 74] Недопустимые, нерекомендуемые степень насыщения Тематики полупроводниковые приборы EN saturation coefficient FR… …
45коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала — Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току. Обозначение h12 Примечание В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс… …
46коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала — Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току. Обозначение h21 h21 Примечание В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно …
47критический ток биполярного транзистора — Значение тока коллектора, при достижении которого значение fкр(│h21э│) падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор эмиттер. Обозначение Iкр [ГОСТ 20003 74] │y21e│ Тематики полупроводниковые приборы …
48максимальная частота генерации биполярного транзистора — Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора. Обозначение fmax fmax [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN maximum frequency of oscillation FR fréquence maximale d oscillation …
49максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора — Обозначение Pи max PM max Примечание Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность …
50модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте — Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте. Обозначение │h21э│ │h21e│ [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN modulus of the short circuit forward current transfer ratio DE …