биполярного транзистора
31Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора — 46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора D. Eingangsreflexionsfaktor S*11 Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
32Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора — 49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора D. Ausgangsreflexionsfaktor S*22 Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
33Коэффициент шума биполярного транзистора — 32. Коэффициент шума биполярного транзистора D. Rauschzahl E. Noise figure F. Facteur de bruit Kш Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала Источник: ГОСТ 20003 …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
34структура биполярного транзистора и лазерного диода — dvipolio tranzistoriaus ir lazerio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. translaser vok. Bipolartransistor und Laserdiode im einem Gehäuse, f; Translaser, m rus. структура биполярного транзистора и лазерного диода, f;… …
35время включения биполярного транзистора — Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN turn on time DE Einschaltzeit FR temps total d’établissement …
36время задержки для биполярного транзистора — Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды. Обозначение tзд td [ГОСТ 20003 …
37время нарастания для биполярного транзистора — Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды. Обозначение tнр tк [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN rise …
38время спада для биполярного транзистора — Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды. Обозначение tсп tf [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN fall time …
39входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала — Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе. Обозначение y11 y11 Примечание В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс… …
40выходная мощность биполярного транзистора — Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте. Обозначение Pвых Pout [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN output power DE Ausgangsleistung …