épitaxie
81Procédés de fabrication des dispositifs à semi-conducteurs — Fabrication des dispositifs à semi conducteurs La fabrication des dispositifs à semi conducteur englobe les différentes opérations permettant l élaboration des composants électroniques ayant pour base des matériaux semi conducteurs. Rentrent dans …
82Procédés de fabrication des dispositifs à semiconducteurs — Fabrication des dispositifs à semi conducteurs La fabrication des dispositifs à semi conducteur englobe les différentes opérations permettant l élaboration des composants électroniques ayant pour base des matériaux semi conducteurs. Rentrent dans …
83Allotaxie — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um …
84Eka-Silicium — Eigenschaften …
85Eka-Silizium — Eigenschaften …
86Integrierter Schaltkreis — Integrierter Schaltkreis. Das Chip Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen… …
87OMBE — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um …
88Graphène —  Ne doit pas être confondu avec graphème. Graphène Molécule de graphène …
89Otto Stern — Pour les articles homonymes, voir Stern. Otto Stern Otto Stern dans les années 1940 Naissance 17 févr …
90CRISTAUX - Croissance des cristaux — La cristallographie donne une description précise du cristal à l’échelle macroscopique et atomique. D’autre part, expliquer l’existence des formes polyédriques d’un cristal, élucider ses mécanismes de croissance relève de la cristallogenèse.… …
