(ionenimplantation)
1Ionenimplantation — Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial (Dotierung). Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials… …
2Ionenimplantation — Io|nen|im|plan|ta|ti|on: zur ↑ Dotierung entwickeltes Verfahren, bei dem Halbleiterwerkstoffe gebündelten ↑ Ionenstrahlen ausgesetzt werden, deren Eindringtiefe von der Beschleunigungsenergie (keV – MeV) abhängt. * * * Ionenimplantation, … …
3Ionenimplantation — jonų implantavimas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. ion implantation vok. Ionenimplantation, f rus. имплантация ионов, f pranc. implantation d’ions, f; implantation ionique, f …
4Ionenimplantation durch eine Maske — kaukinis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. masked ion implantation vok. Ionenimplantation durch eine Maske, f; maskierte Ionenimplantation, f rus. ионная имплантация через маску, f pranc. implantation… …
5Ionenimplantation ohne Maske — bekaukis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. maskless ion implantation vok. Ionenimplantation ohne Maske, f; unmaskierte Ionenimplantation, f rus. безмасочная ионная имплантация, f pranc. implantation ionique… …
6Ionenimplantation in bipolaren Geräten — dvipolių darinių implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar ion implantation vok. Ionenimplantation in bipolaren Geräten, f rus. ионная имплантация для биполярных приборов, f pranc. implantation ionique pour… …
7Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter — jonų implantavimas į amorfinį puslaidininkį statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. amorphous ion implantation vok. Ionenimplantation in den amorphen Halbleiter, f rus. ионная имплантация в аморфный полупроводник, f pranc.… …
8Ionenimplantation zur Erzeugung von MOS-Strukturen — jonpluoštis MOP darinių legiravimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. MOS ion implantation vok. Ionenimplantation zur Erzeugung von MOS Strukturen, f rus. ионное легирование для формирования МОП структур, n pranc. implantation …
9Ionenimplantation zur Erzeugung von Verarmungsgebieten — skurdinamasis jonų implantavimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. depletion ion implantation vok. Ionenimplantation zur Erzeugung von Verarmungsgebieten, f rus. ионная имплантация для формирования обеднённой области, f pranc …
10Ionenimplantation — Io|nen|im|plan|ta|ti|on* die; , en: Verfahren der Halbleitertechnologie zur gezielten Dotierung (vgl. ↑dotieren 2) von Halbleitermaterial durch Beschuss mit einem gebündelten Strahl stark beschleunigter Ionen zur Erzielung besserer… …
