(ionenimplantation)
41LSS-Theorie — Die LSS Theorie ist eine theoretische grobe Beschreibung der Ionenimplantation von Jens Lindhard, Morten Scharff und Hans E. Schiott.[1] Inhaltsverzeichnis 1 Hintergrund 2 Beschreibung 3 Literatur …
42Arsin — Strukturformel Allgemeines Name Arsenwasserstoff Andere Namen Monoarsan Arsin …
43AsH3 — Strukturformel Allgemeines Name Arsenwasserstoff Andere Namen Monoarsan Arsin …
44Atomwissenschaft — Die Kernphysik ist der Teilbereich der Physik, der sich mit dem Aufbau und dem Verhalten von Atomkernen beschäftigt. Die Hochenergiephysik und Elementarteilchenphysik haben sich aus der Kernphysik heraus entwickelt und wurden daher früher mit zu… …
45Bor(III)-fluorid — Strukturformel Allgemeines Name Bortrifluorid Andere Namen Trifluorboran Bor(III) fluorid …
46Dotierung — Eine Dotierung oder das Dotieren (von lat. dotare „ausstatten“) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder ins Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises. Die dabei eingebrachte Menge ist dabei… …
47Elektronen-Loch — Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet und stellt die äquivalente Beschreibung des Fehlens eines (realen) Valenzelektrons dar[1]. Der reale… …
48Elektronenfehlstelle — Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet und stellt die äquivalente Beschreibung des Fehlens eines (realen) Valenzelektrons dar[1]. Der reale… …
49Erdmond — Mond Der Mond, fotografiert mit einem 103 mm Refraktor. Zentralkörper Erde …
50Focused-Ion-Beam-Mikroskop — Foto eines FIB Arbeitsplatzes Ein Focused Ion Beam (Abk.: FIB; englisch für „fokussierter Ionenstrahl“) ist ein Gerät zur Oberflächenanalyse und bearbeitung. Steht der Materialabtrag im Vordergrund, heißt das Verfahren auch Ionendünnung. Wenn die …
